近年来，绿色节能已成为发展的主题。当今世界不断寻求更高效、更节能的光源来替代传统的光源。LED光源是最好的选择，其次是近年来高亮度LED在照明中的应用。继续快速扩张。在LED制造中引入了激光晶圆切割工艺，使得LED背光在手机、电视和触摸屏上得到了广泛的应用，白色LED在照明领域的应用也最为激动人心。
激光切片LED的划线线比传统的机械划线线窄得多，大大提高了材料利用率，提高了输出效率。此外，激光加工是一种非接触加工。切片使晶圆微裂纹等损伤变小，晶圆颗粒更紧密，输出效率高，生产率高，成品LED器件可靠性提高。
LED激光切割功能
单晶蓝宝石(sapphire)和氮化镓(GaN)是硬而脆的材料(抗拉强度接近钢)，因此很难切割成单个的LED器件。传统的机械锯片在切割这些材料时，容易造成晶片剥落、微裂纹、分层等损伤，所以LED晶片是用锯片切割的，各单体之间必须留有较宽的宽度，以避免开裂。LED器件的损伤，大大降低了LED晶片的效率。
激光加工是非接触加工。激光切割是传统机械锯片切割的一种替代，其切割缝很小。聚焦的激光光斑作用于晶圆片表面，使材料迅速汽化，并在LED的活动区域之间制造出大量的材料。微小的切割可以在有限的晶圆片上切割更多的led。激光切割特别适用于砷化镓(GaAs)等脆性复合半导体晶片材料。激光加工的LED晶片,典型的切割深度是衬底的厚度的1/3到1/2,所以分割可以获得一个干净的断裂面,和狭窄的生产和深度激光文士裂缝同时确保高速切割速度,需要激光窄脉冲宽度等优良的品质,高光束质量、峰值功率高,高重复率。
并不是所有的激光器都适用于LED切片，因为晶圆材料传输到可见波长激光器。GaN是波长小于365 nm的光的透射光，蓝宝石晶片是波长大于177 nm的激光器的半透射光，因此波长为355 nm和266 nm的三倍和四倍q开关全固态激光器(DPSSL)是LED晶体。圆激光切割的最佳选择。虽然准分子激光器也可以实现LED切割所需的波长，但是倍频全固态q开关激光器比准分子激光器更小，需要的维护更少，而且在质量上，全固态激光刻划线非常窄，更适合激光LED切割。
激光切割大大降低了晶片微裂纹和微裂纹扩展，使LED电池间距更近，提高了生产效率和生产率。一般来说，一块2英寸的晶圆片可以分离2万个以上的LED单元件器件，所以切割的缝隙宽度可以显著影响分割的数量;降低微裂纹的长期可靠性对于后分裂LED器件将会有明显的改善。与传统刀片切割相比，激光切割不仅提高了输出效率，而且提高了加工速度，避免了刀片磨损造成的加工缺陷和成本损失。总之，激光加工精度高，加工公差小，成本低。
随着照明市场的不断发展，LED制造业对产能和产量的要求越来越高。激光切割技术将成为LED制造业的一项常用技术，甚至成为高亮度LED晶片加工的行业标准。
